Samsung anuncia un procesador DRAM de 4GB
Samsung Electronics ha anunciado que ha desarrollado su primer procesador DDR3 DRAM de 4GB utilizando un proceso de litografía de 50 nanómetros. El nuevo procesador dobla la densidad de sus antecesores chips DRAM, con módulos de hasta 32 GB de capacidad.
El desarrollo del DDR3 de 4GB de bajo consumo permitirá reducir los costes del data center al requerir menos máquinas, mejorar la gestión del tiempo del servidor e incrementar el rendimiento global, señalan fuentes de Samsung.
El pasado mes de septiembre, Samsung anunció el que fue el primer chip DDR3 DRAM de 2 GB del mundo, y, en la actualidad, comercializa una línea de productos DDR3 de alto rendimiento que utiliza la misma tecnología de proceso con chips de 4GB, 2 GB y 1GB.
Bob Merritt, analista de la firma de investigación de mercados Convergent Semiconductors, afirma que los chips con mayor densidad podría provocar una bajada en los precios para los usuarios en la medida en que los precios de producción caen para los fabricantes de equipamiento.
Los precios de los procesadores DRAM se han desplomado en los últimos dos años debido a un exceso de oferta, lo que ha llevado a algunos fabricantes como Quismonda AG a la quiebra.
A pesar de esto, el volumen de ventas de este tipo de procesadores sigue aumentando. De acuerdo con las previsiones de IDC, los chips DDR3 DRAM representarán el 29% del mercado total de chips DRAM este año y el 75% en 2011. Los DDR3 de 2 GB o de mayor capacidad serán un 3% del mercado de las DRAM en 2009 y un 33% en 2011.
