IBM anuncia un transistor de silicio que dotará a los chips de velocidades de más de 150 GHz en dos años
IBM ha anunciado la creación del "transistor de silicio más rápido del mundo", según aseguran responsables de la compañía. Éste, que es uno de los elementos básicos en la estructura de un microprocesador, utiliza la tecnología SiGe de IBM para alcanzar velocidades cercanas a 350 GHz y, según la compañía, ofrece un rendimiento cuatro veces superior a los actuales del mercado y es un 65% más rápido que los últimos prototipos anunciados.
IBM asegura que el nuevo transistor de silicio llevará a los chips de comunicaciones a velocidades superiores a los 150 GHz en cuestión de dos años. Asimismo, se prevé que el consuma menos energía que los actuales y que permita un menor coste en sistemas de comunicaciones y otros productos electrónicos. El transistor es bipolar, permitiendo así que los electrones se mueven verticalmente, con lo que la velocidad puede aumentarse reduciendo la altura del transistor. Se trata de una configuración útil para determinados tipos de microprocesadores destinados a comunicaciones inalámbricas.
Los chips con tecnología SiGe de IBM ya se están introduciendo en procesos de producción existentes, lo que ha posibilitado su expansión teléfonos móviles y otros dispositivos de comunicación. Según un estudio de IC Insights, las ventas de tecnologías SiGe alcanzarán los 2.700 millones de dólares en 2006, frente a los 320 millones de dólares de 2001. según este informe, IBM canalizará un 80% de esta facturación.
La potencia del silicio unido al germanio
La velocidad de un transistor viene determinada por la velocidad con que los electrones se mueven a través de él, lo que depende del material semiconductor utilizado en la fabricación y la distancia existente entre los electrones. Este material es normalmente el silicio aunque, en 1989, la división de Investigación de IBM añadió germanio (que junto al silicio conforma las siglas SiGe, como se denomina esta tecnología) para acelerar el flujo eléctrico, mejorando el rendimiento y reduciendo el consumo energético. Ahora IBM combina el uso del material SiGe con un diseño mejorado del transistor que reduce las distancias eléctricas para aumentar la velocidad.
www.ibm.com/chips
INFORMACIÓN RELACIONADA.-
La electrónica molecular avanza de la mano de HP
http://www.idg.es/computerworld/noticia.asp?id=25921
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