Samsung fabrica un "chip" de memoria DRAM de 40 nanómetros

Se trata de la serie de procesadores móviles GB45, diseñados para reducir el consumo de energía en un 30%, respecto al proceso actual de 50 nanómetros. En concreto, el módulo de memoria DDR2 ha sido certificado en el programa de Validación de Plataformas de Intel para su uso en los chipsets móviles Express de la serie Intel GM45, que fue utilizada en sus inicios en portátiles, principalmente. Se espera que la migración a los procesos de fabricación de 40 nanómetros acelere el ciclo de introducción en el mercado en un 50%, pasando así de dos años a uno, explican desde Samsung.

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