La UE impulsa la investigación para mejorar la fabricación de chips

La Comisión Europea ha lanzado un proyecto de investigación, llamado NANOCMOS, para estudiar la viabilidad de la modificación de los materiales, procesos, arquitecturas e interconexiones utilizados en la creación de los procesadores con el fin de mejorar el rendimiento de los semiconductores y su densidad.

Enmarcados en esta iniciativa, un grupo de investigadores se centrará en crear una nueva generación de la tecnología CMOS (Complementary Metal Oxide Semiconductor), que es la más utilizada actualmente en el diseño de circuitos integrados y que se encuentra presente en la práctica totalidad de los productos electrónicos, desde dispositivos de mano hasta mainframes, para incluirla en la creación de chips con procesos de 45 nanómetros y que, posteriormente, extenderá a los procesos de 32 y 22 nanómetros. El proyecto está financiado con ayudas de la Comisión que alcanzan unos 24 millones de euros. En esta iniciativa se espera que participen fabricantes de procesadores e institutos de investigación, que realizarán también aportaciones económicas a NANOCMOS.
En la primera fase del proyecto, que se espera que dure más de dos años, los investigadores estudiarán la viabilidad de la tecnología lógica CMOS de 45 nanómetros con el objetivo de desarrollar en 2005 un chip SRAM (de RAM estática) usando esta tecnología. Durante esta primera fase los investigadores también empezarán a probar las tecnologías CMOS de 32 y 22 nanómetros. En la segunda fase de NANOCMOS, que empezará en 2006, sus participantes intentarán demostrar la viabilidad de los procesos de producción de chips de 32 y 22 nanómetros, con el fin de que en 2007 ya se usen estas tecnologías para la fabricación de chips. En esta fase se pretende que el proyecto forme parte de la iniciativa Medea+ (Microelectronics Development for European Applications), un proyecto europeo centrado en la investigación de semiconductores. Para el año 2006, el consorcio de compañías (entre las que destacan Koninklijke Philips Electronics, STMicroelectronics, Infineon Technologies y Motorola) e institutos de investigación (principalmente de Francia y Alemania) del proyecto NANOCMOS esperan usar la tecnología de 45 nanómetros para la creación de una oblea industrial de 300 milímetros.
Además del proyecto NANOCMOS, la Comisión ha accedido a financiar una red de excelencia llamada SINANO, cuyo objetivo es aunar a todos los centros de investigación europeos que puedan contribuir de alguna forma al desarrollo de dispositivos desarrollados con silicio en la escala de 40 nanómetros.




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