En busca del Santo Grial de las memorias
FRAM y MRAM, las más desarrolladas del mercado
Los fabricantes de chips buscan una innovadora tecnología para memorias “universales”, baratas y rápidas, que podría reemplazar algún día a las tres existentes, DRAM, SRAM y flash. Su hallazgo podría estar más cerca de lo que piensan algunos fabricantes y usuarios, y su repercusión en el mercado no tendría referentes.
Con la Ley de Moore vigente, durante 40 años, los diseñadores de sistemas han visto cómo las densidades de la memoria se duplicaban cada 18 ó 24 meses mientras que sus precios permanecían casi inamovibles, reduciendo el coste por bit a la mitad cada vez. Sin embargo, a medida que aumentan los requisitos técnicos para diseñar células de memoria cada vez más pequeñas a partir de silicio, algunos fabricantes de memoria ya han anunciado que la curva de los costes comenzará a virar en sentido contrario antes del final de esta década.
Los científicos de IBM, Intel y otras empresas prevén el desarrollo de una tecnología universal para memorias que podría reemplazar algún día a las tres existentes.
Una tecnología universal de memorias podría cambiar la forma en que se diseñan los ordenadores. Por ejemplo, la RAM no volátil podría ayudar a los ordenadores a apagarse y encenderse de forma instantánea, porque la información almacenada no se perdería cuando se apagara el equipo. Sin embargo, hay que tener en cuenta que la emergencia por una tecnología universal de memorias está todavía lejos, puede que a 10 ó 15 años de distancia.
También hay quien argumenta que una memoria universal nunca será realidad porque no es posible que un sólo tipo de memoria pueda satisfacer a todas las necesidades. Por ejemplo, ningún dispositivo podría ser el más rápido y el más barato al mismo tiempo. La mayor parte de las investigaciones actuales se centran en solventar las limitaciones que puede generar el hecho de contar con una única tecnología de memoria en cada momento, como flash. Sin embargo, algunos atributos de las tecnologías actuales serán difíciles de batir.
Otras voces apuntan que la mayoría de las tecnologías probablemente no serán capaces de competir en el campo del menor coste por bit (al contrario que la DRAM) o con la rapidez de la SRAM, lo que hará que inevitablemente se queden en el espacio que hay entre ambas.
Drivers TI
Las tecnologías FRAM (RAM Ferroeléctrica) y MRAM (Magnetoresistiva Ram) son las más desarrolladas de todas las emergentes que existen hoy en día. FRAM consiste en una RAM no volátil desarrollada por la empresa Ramtron International de Colorado Springs y licenciada por Texas Instrument, entre otras empresas. Fuentes de la compañía confirman que ya hay más de 30 millones de productos en el mercado que incluyen tecnología FRAM, como dispositivos de medición, de identificación por frecuencia de radio y tarjetas inteligentes.
Basada en “puntos cuánticos” del tamaño de nanómetros, utiliza menos energía y escribe con más rapidez que DRAM o Flash, además de disponer de una duración muy larga. El único inconveniente, que tiene mucha repercusión en el mercado, es que es de 20 a 50 veces más cara por bit que DRAM y, además, la densidad de los chips es mucho menor. El fabricante tiene previsiones de lanzar modelos de 1 Mbit/s y espera alcanzar los 4 ó 5 Mbits durante 2006. Aunque MRAM está ya lista para entrar en el mercado, FRAM es hoy por hoy el único jugador en el campo de la DRAM no volátil.
Por su parte, en el campo de las memorias no volátiles, a la tecnología MRAM le resta poco para entrar en producción con fabricantes como IBM o Freeseale Semiconductor a la cabeza de su desarrollo. Entendida como “almacenamiento magnético en un chip”, porque adapta al silicio técnicas de polarización magnética usadas en los discos duros, se trata de una memoria rápida y no volátil que ofrece una combinación de alta velocidad, gran duración y densidad razonable. Las muestras pueden producirse aproximadamente con la misma densidad y coste por bit que la memoria flash. Pero, aunque se promociona como una memoria universal, la densidad de MRAM no alcanza a la de DRAM o SRAM. Lo más interesante, hoy en día, es centrarse en aplicaciones embebidas.
Hay muchos otros desafíos a las tecnologías convencionales de memoria que parecen prometedores, pero están mucho más verdes en sus ciclos de desarrollo que FRAM o MRAM.
Con la Ley de Moore vigente, durante 40 años, los diseñadores de sistemas han visto cómo las densidades de la memoria se duplicaban cada 18 ó 24 meses mientras que sus precios permanecían casi inamovibles, reduciendo el coste por bit a la mitad cada vez. Sin embargo, a medida que aumentan los requisitos técnicos para diseñar células de memoria cada vez más pequeñas a partir de silicio, algunos fabricantes de memoria ya han anunciado que la curva de los costes comenzará a virar en sentido contrario antes del final de esta década.
Los científicos de IBM, Intel y otras empresas prevén el desarrollo de una tecnología universal para memorias que podría reemplazar algún día a las tres existentes.
Una tecnología universal de memorias podría cambiar la forma en que se diseñan los ordenadores. Por ejemplo, la RAM no volátil podría ayudar a los ordenadores a apagarse y encenderse de forma instantánea, porque la información almacenada no se perdería cuando se apagara el equipo. Sin embargo, hay que tener en cuenta que la emergencia por una tecnología universal de memorias está todavía lejos, puede que a 10 ó 15 años de distancia.
También hay quien argumenta que una memoria universal nunca será realidad porque no es posible que un sólo tipo de memoria pueda satisfacer a todas las necesidades. Por ejemplo, ningún dispositivo podría ser el más rápido y el más barato al mismo tiempo. La mayor parte de las investigaciones actuales se centran en solventar las limitaciones que puede generar el hecho de contar con una única tecnología de memoria en cada momento, como flash. Sin embargo, algunos atributos de las tecnologías actuales serán difíciles de batir.
Otras voces apuntan que la mayoría de las tecnologías probablemente no serán capaces de competir en el campo del menor coste por bit (al contrario que la DRAM) o con la rapidez de la SRAM, lo que hará que inevitablemente se queden en el espacio que hay entre ambas.
Drivers TI
Las tecnologías FRAM (RAM Ferroeléctrica) y MRAM (Magnetoresistiva Ram) son las más desarrolladas de todas las emergentes que existen hoy en día. FRAM consiste en una RAM no volátil desarrollada por la empresa Ramtron International de Colorado Springs y licenciada por Texas Instrument, entre otras empresas. Fuentes de la compañía confirman que ya hay más de 30 millones de productos en el mercado que incluyen tecnología FRAM, como dispositivos de medición, de identificación por frecuencia de radio y tarjetas inteligentes.
Basada en “puntos cuánticos” del tamaño de nanómetros, utiliza menos energía y escribe con más rapidez que DRAM o Flash, además de disponer de una duración muy larga. El único inconveniente, que tiene mucha repercusión en el mercado, es que es de 20 a 50 veces más cara por bit que DRAM y, además, la densidad de los chips es mucho menor. El fabricante tiene previsiones de lanzar modelos de 1 Mbit/s y espera alcanzar los 4 ó 5 Mbits durante 2006. Aunque MRAM está ya lista para entrar en el mercado, FRAM es hoy por hoy el único jugador en el campo de la DRAM no volátil.
Por su parte, en el campo de las memorias no volátiles, a la tecnología MRAM le resta poco para entrar en producción con fabricantes como IBM o Freeseale Semiconductor a la cabeza de su desarrollo. Entendida como “almacenamiento magnético en un chip”, porque adapta al silicio técnicas de polarización magnética usadas en los discos duros, se trata de una memoria rápida y no volátil que ofrece una combinación de alta velocidad, gran duración y densidad razonable. Las muestras pueden producirse aproximadamente con la misma densidad y coste por bit que la memoria flash. Pero, aunque se promociona como una memoria universal, la densidad de MRAM no alcanza a la de DRAM o SRAM. Lo más interesante, hoy en día, es centrarse en aplicaciones embebidas.
Hay muchos otros desafíos a las tecnologías convencionales de memoria que parecen prometedores, pero están mucho más verdes en sus ciclos de desarrollo que FRAM o MRAM.
