Intel da un paso adelante en la fabricación de transistores
En una apuesta clara por el desarrollo en el diseño de transistores, Intel ha anunciado la utilización de dos nuevos materiales para la construcción de las paredes de aislamiento y la conexión de puerta de sus transistores en 45 nanómetros. Según la compañía, cientos de millones de estos transistores microscópicos –o interruptores– se incluirán en la próxima generación de familias de procesadores multi núcleo Intel Core 2 Duo, Intel Core 2 Quad y Xeon. Los transistores de Intel incorporan el nuevo material dieléctrico High-K y un nuevo metal de puerta, una innovadora combinación que reduce las fugas e incrementa el rendimiento de su tecnología de procesamiento de 45 nanómetros. “La implementación de materiales metálicos y high-k marca el cambio más grande en la tecnología de transistores desde la presentación de los transistores MOS de puente de polisilicio a finales de los años 60”, comenta Gordon Moore, co-fundador de Intel.
